26 Dekabr 2019
32Main language:Russian
ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Предложена новая конструкция упругой балки для весоизмерительного датчика, который в центральный части имеет два смежных отверстия в виде усеченного ромбика, образованный мостик имеет форму гантели. Также предложен инструментальный усилитель для усиления сигнала снимаемого с весоизмерительного датчика.
AUTHORS
A.Karimov
НПО “Физика-Солнце” АН РУз
A.Khakimov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
D.Istamov
НПО “Физика-Солнце” АН РУз
A.Karimov
Ташкентский институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства
B.Kamanov
НПО “Физика-Солнце” АН РУз
Tags
# деформация# deformation# консольная балка# тензоэлектрическая характеристик# тензочувствительность# tensoelectric characteristics# tensosensitivity
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника