26 Dekabr 2019
34Main language:Russian
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Методами DLTS и ФЕ изучен энергетический спектр дефектов в кремнии, легированном атомами молибдена. Обнаружено, что диффузионное введение Mo в Si приводит к образованию трех глубоких уровней с энергиями ионизации Ес-0.20 эВ и Ес - 0.29 эВ и Еv+0.36 эВ. Показано, что термическая и оптическая энергии активации уровней в n-Si практически совпадают
AUTHORS
SH.Daliev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
A.Paluanova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
K.Fayzullaev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
S.Kaypnazarov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Tags
# диффузия# легирование# diffusion# impurity# silicon# alloying# кремний# примесь# тугоплавкий элемент# refractory element
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника