26 Dekabr 2019
37Main language:Russian
ВЛИЯНИЕ МАТЕРИАЛА БУФЕРНОГО СЛОЯ НА СПЕКТР ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
Проведены исследования влияния буферного фронтального слоя на спектральную зависимость фоточувствительности гетероструктурных фотоприемников на основе поликристаллического полупроводникового бинарного соединения CdTe. Установлено, что в результате замены буферного слоя CdS на широкозонный полупроводниковый слой СdO, увеличивается спектральная фоточувствительность гетеропереходного фотоприемника на основе CdTe в коротковолновой части спектра электромагнитного излучения
AUTHORS
R.Kobulov
НПО “Физика-Солнце” АН РУз
Tags
# гетеропереход# поликристаллический полупроводни# буферный слой# фотоприемник# CdTe# CdS# CdO# photodetector# heterojunction# polycrystalline semiconductor# buffer layer
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Физика полупроводников и микроэлектроника