10 Fevral 2020
22Main language:Russian
НОВЫЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ С АНОМАЛЬНЫМИ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИМИ НАПРЯЖЕНИЯМИ
Field of Science:
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
. В данной работе приведены результаты экспериментальных исследований эффекта аномального фотовольтаического напряжения. Сформулирована и определена природа процессов, приводящих к возникновению аномально высоких фотоэлектрических напряжений. Проведены исследования энергетических параметров пленок.
AUTHORS
R.Nurdinova
Ферганский политехнический институт
A.Alimjonova
ферганский филиал ташкентского Ташкентского университета информационных технологий имени Мухаммада аль-Хорезми
Tags
# аномальное фотонапряжение (АФН)# вольт-амперные характеристики# люкс-вольтовые характеристики# anomalous photovoltage (AHV)# current-voltage characteristics# lux-volt characteristics
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
0
5
4
3
2
1
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника