10 Fevral 2020
23ЗАРЯДОВОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИОНОВ Si, ЭМИТИРУЕМЫХ МОНОЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМОЙ, ДО И ПОСЛЕ γ- ОБЛУЧЕНИЯ МИШЕНИ
file.pdf
ARTICLE ANNOTATION
AUTHORS
Z.Azamatov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
S.Nasriddinov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
T.Satiboldiev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
F.Tojinazarov
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА
S.Kodirov
ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА
Tags
OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Semiconductor Physics and Microelectronics · 28 Mart 2022
Rate Article
Article Identifiers
DOI:
Not Available
References
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника