Исследуется плотность поверхностных состояний МДП структур на основе кремния. Построена математическая модель термодинамической плотности поверхностных состояний для широкого энергетического диапазона. Выведена формула плотности поверхностных состояний в зависимости от температуры. Полученная формула позволяет определить разрешенных зон в широком температурном интервале.
The density of surface states of MIS structures based on silicon is studied. A mathematical model of the thermodynamic density of surface states for a wide energy range is constructed. The formula for the density of surface states as a function of temperature is derived. The resulting formula allows us to determine the allowed zones in a wide temperature range.
№ | Author name | position | Name of organisation |
---|---|---|---|
1 | sharibaev N.Y. | ||
2 | Nabiev M.. | ||
3 | Sharifbaev R.. |
№ | Name of reference |
---|---|
1 | G.Gulyamov, N.Yu. Sharibaev. Opredelenie diskretnogo spektra PPS MOP AlSiO2-Si, obluchennoe neytronami // Poverxnost. Rentgenovskie, sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya Moskva, 2012 g, №9, s. 13–17. |
2 | G.Gulyamov, N.Yu.Sharibaev//Semiconductors, 2011,Vol.45, No.2, pp.174–178. |
3 |
G.Gulyamov, I.N.Karimov, N.YU.SHaribaev, U.Erkaboev Opredelenie PPS na granitsu razdela poluprovodnik dielektrik v strukturax Al-SiO2-Si i Al-SiO2-nSi |
4 | Gulyamov G., Sharibaev N.Yu. Opredelenie PPS granitsы razdela, poluprovodnik– dielektrik, v MDP–strukture // FTP – Sankt Peterburg, 2011, - T.45. №2. -; C. 178- 182. |
5 | N.Yu. Sharibayev, J.I.Mirzayev. Temperature Dependence of the Density of States and the Change in the Band Gap in Semiconductors // International Journal of Engineering and Advanced Technology (IJEAT),ISSN: 2249 – 8958, Volume-9, Issue-2, pp 1012-1017,2019. |
6 | M.G.Dadamirzaev, N.Yu.Sharibaev, M.Turgunov. Kuchli gerlangan yarimo‘tkazgich-larda taqiqlangan zona kengligini o‘zgarishi // Nauchnыy vestnik NamGU, №4 2019 st 22-27. |