The paper reports that the silicon sample doped with selenium at a temperature of 12000С might be considered in perspective as a high efficiency photocell. Photoelectric experiments of Si samples and the results are presented. Si with conductivity  = 1 cm was chosen as initial material for further doping. It has been determined that the open circuit voltage under illumination reaches its peak value at a depth of 30 microns, as a result of which a p-n junction with a high-resistance p-layer tends to build.

В статье авторы предполагают, что кремний, легированный селеном при температуре 12000С можно рассматривать в перспективе в качестве высокоэффективного фотоэлемента. Представлены результаты фотоэлектрических измерений образцов Si . В качестве исходного образца выбран Si с удельной проводимостью  = 1см. Было определено, что напряжение холостого хода при подстветке достигает своего максимального значения на глубине 30 микрон, где образуется p-n переход с высокоомной p-областью