В работе имплантацией ионов Ni+ в Si в сочетании с отжигом в приповерхностном слое Si на глубине 15 – 25 нм получены нанокристаллические фазы и слои NiSi2. При D = 8·1016 см-3 формировалась нанопленочная гетероструктура типа Si/NiSi2/Si. Впервые оценены ширины запрещенных зон нанокристалических фаз и слоев NiSi2, созданных в приповерхностной области Si.

Nanocrystalline phases and NiSi2 layers were obtained by implantation of Ni+ ions in Si in combination with annea-ling in the surface layer of Si at a depth of 15–25 nm. At D = 8×1016 cm–3 , a nanofilm heterostructure of the Si / NiSi2 / Si type was formed. For the first time, the bandgaps of nanocrystalline phases and NiSi2 layers created in the surface region of Si were estimated.