234

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 234
  • Web Address
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_33
  • Date of creation in the UzSCI system 21-08-2020
  • Read count 140
  • Date of publication
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages200-204
Tags
Русский

Впервые изучены степень разупорядоченности и толщина разупорядоченных слоев d и их влияние на ширину запрещенной зоны монокристаллического Si (111) при бомбардировке ионами Ar+ . Показано, что значение d при энергии ионов Е0 = 1 кэВ и 2 кэВ составляет ~ 100 – 120 Å и 150 – 160 Å соответственно. При этом плотности состояния электронов валентной зоны Si (111) существенно изменяются, уменьшается коэффициент пропускания света К до 55 – 60 %, а значение Еg – увеличивается на ~ 10 %

№ Author name position Name of organisation
1 Tashmukhamedova D..
2 Yusupjonova M..
№ Name of reference
1 Z.A. Isakhanov, Z.E. Mukhtarov, B.E. Umirzakov, M.K. Ruzibaeva. Technical Physics, 56(4), 546 (2011).
2 S.B. Donaev, F. Djurabekova, D.A. Tashmukhamedova, B.E. Umirzakov. Physica Status Solidi (C), 12(1-2), 89 (2015). DOI 10.1002/pssc.201400156
3 B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, M.K. Ruzibaeva, F.G. Djurabekova, S.B. Danaev. NIMB, 326, 322 (2014).
4 B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, G.K. Allayarova, Z.S. Sodikzhanov. Technical Physics Letters, 45(4), 356 (2019).
Waiting