166

На основе проведенного сравнительного анализа возможностей различных методов, можно сказать следующее, что наиболее хороших результатов при изготовлении приборных структур микроэлектроники, можно достичь используя методы МЛЭ и ионной имплантации.

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 166
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 22-08-2020
  • Read count 68
  • Date of publication
  • Main LanguageRus
  • Pages220-225
Русский

На основе проведенного сравнительного анализа возможностей различных методов, можно сказать следующее, что наиболее хороших результатов при изготовлении приборных структур микроэлектроники, можно достичь используя методы МЛЭ и ионной имплантации.

English

Based on a comparative analysis of the capabilities of various methods, we can say the following that the best results in the manufacture of instrument structures of microelectronics can be achieved using the MBE and ion implantation methods.

№ Author name position Name of organisation
1 Tashatov A..
2 Egamberdiev O..
3 Khuzhamberdieva J..
№ Name of reference
1 Tashatov A. K., Kodirov I. N. //Pribor dlya kompleksnoj diagnostiki poverhnosti tverdyh tel, implanirovannyh ionnoj nizkih `energij// Uzbekskij fizicheskij zhurnal. 1995, № 1, s. 63-65
2 Tashatov A. K. //Sravnenie parametrov getero`epitakcial'nyh struktur, plouchennyh razlichnymi metodami // Fizikaviy elektronika bo'yicha IV- Respublika anjumani. Maruzalar tezislari. -Toshkent, 2005. B 26
Waiting