473

. Calculated matrix elements of optical transitions that occur between the subbands of the valence band of the semiconductor-type p-GaAs

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 473
  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 05-10-2020
  • Read count 376
  • Date of publication
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages285-289
Русский

Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs.

Ўзбек

. Calculated matrix elements of optical transitions that occur between the subbands of the valence band of the semiconductor-type p-GaAs

№ Author name position Name of organisation
1 Rasulov V.R.
2 Rasulov R.Y.
3 Sultonov R.R.
4 Eshboltayev I..
№ Name of reference
1 Ivchenko E.L. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. - Harrow: Alpha Science International Ltd. 2005. XII. 427 p
2 Rasulov V.R., Rasulov R.Ya., Eshboltaev I. Linearly and circular dichroism in a semiconductor with a complex valence band with allowance for four-photon absorption of light // Physics of the Solid State. Springer. 2017. Vol.59, #3. pp. 463–468.
3 Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. – Москва: Наука. 1973. –572 стр.
4 Ивченко Е.Л., Расулов Р.Я. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников. –Ташкент: Фан. 1989. –126 стр
Waiting