465

Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, что независимо от возбуждаемой поверхности они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0,85-0,9 мкм и 1,31-1,55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 19-11-2020
  • Read count 0
  • Date of publication 28-10-2020
  • Main LanguageRus
  • Pages26-33
Русский

Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, что независимо от возбуждаемой поверхности они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0,85-0,9 мкм и 1,31-1,55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник

English

The research results of photosensitivity of Au-vGaAs: O-nCdS-nInP-Au structure heterojunction under various electrical circuit configuration are presented. It is shown experimentally that irrespective of the excited surface, they differ in photosensitivity in the spectral range of 0,85-0,9 μm and 1,31-1,55 μm, which is associated with photo-generation processes in high-resistance gallium arsenide and photoemission processes from metal to semiconductor

№ Name of reference
1 Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника
Waiting