601

Publisher info

Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Phone: +998 71 248 79 94

Email: ispm_uz@mail.ru

Name 2019, том 1, выпуск 6
Journal Физика полупроводников и микроэлектроника
Volume Number 1
Published At 27/10/2020
Pages 78
Issue Number 6
Total number 78
File
Waiting
The full name of the article Language Pages View count Read count

STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 9-14 357 0

ОСОБЕННОСТИ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 280 0

DEVELOPMENT OF PHOTOTHERMOELECTRIC CONVERTERS AND RESEARCH OF THEIR DESIGN AND OPERATIONAL FEATURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 21-25 287 0

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОЙ Au- GaAs:O-nCdS-nInP-Au-СТРУКТУРЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 26-33 397 0

МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ НАГРУЗОЧНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 34-40 346 0