ВЛИЯНИЕ γ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДАТЧИКА НА ОСНОВЕ Si < Ni >

В работе исследовано влияние γ-облучения на рабочие характеристики термодатчиков на основе Si <Ni > Установлено, что чем меньше концентрация примесных атомов, тем больше сопротивление термодатчика и соответственно больше радиационная стойкость. Состояние герметизации достаточно стабильно сохраняется до дозы Ф>5·10⁷р, а при более высоких дозах Ф>5·10⁸Р герметизация практически разрушается. При этом в данном интервале доз надежность и омичность электрического контакта практически не изменяются. Стимулирующее действие больших доз γ-облучения приводит к увеличению коэффициента термочувствительности в разработанных термодатчиках на основе кремния легированного Ni.

The effect of γ-irradiation on the performance of Si <Ni> -based thermal sensors was investigated. It was found that the lower the concentration of impurity atoms, the greater the resistance of the temperature sensor and, accordingly, the greater the radiation resistance. The sealing state is fairly stable until a dose of Ф>5·10⁷p, and at higher doses of Ф>5·10⁸p, the sealing is almost destroyed. Moreover, in this dose range, the reliability and ohmicity of the electrical contact are practically unchanged. The stimulating effect of large doses of γ-radiation leads to an increase in the coefficient B in the developed temperature sensors based on silicon doped with Ni.