В настоящей работе исследованы структуры полупроводник-диэлектрик-полупроводник типа pCdTe-TeO2-n SnO2 на основе тонких пленок pCdTe, имеющих столбчатую структуру с размерами зерен 100 ÷ 150 μm. Сопротивление пленок pCdTe ρ ≈ 102÷103Ω·сm, толщина составляла d ≈ 70 ÷100 μm. Слой SnO2 n-типа наносились методом магнетронно -ионным распылением. Фоточувствительную структуру pCdTe-TeO2-n SnO2 можно широко использовать в качестве датчиков для регистрации рентгеновского и гамма-излучений
В настоящей работе исследованы структуры полупроводник-диэлектрик-полупроводник типа pCdTe-TeO2-n SnO2 на основе тонких пленок pCdTe, имеющих столбчатую структуру с размерами зерен 100 ÷ 150 μm. Сопротивление пленок pCdTe ρ ≈ 102÷103Ω·сm, толщина составляла d ≈ 70 ÷100 μm. Слой SnO2 n-типа наносились методом магнетронно -ионным распылением. Фоточувствительную структуру pCdTe-TeO2-n SnO2 можно широко использовать в качестве датчиков для регистрации рентгеновского и гамма-излучений
In this paper, we investigated the semiconductor-dielectric-semiconductor structures of the pCdTe-TeO2-n SnO2 type based on pCdTe thin films having a columnar structure with grain sizes of 100 ÷ 150 µm. The resistance of the pCdTe films is ρ ≈ 102÷103Оm • sm, the thickness is d ≈ 70÷100 μm. An n-type SnO2 layer was deposited by magnetron-ion sputtering. The photosensitive structure pCdTe-TeO2-n SnO2 can be widely used as sensors for detecting X-ray and gamma radiation.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Utamuradova S.B. | Директор | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 2 | Muzafarova S.A. | Сотрудник | Институт Материаловедения НПО “Физика-Солнце” АН |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |