ТОР ЗОНАЛИ ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАРДА ТАҚИҚЛАНГАНЗОНА КЕНГЛИГИНИ ЎЗГАРИШИ

  Ҳарорат  ортиши  билан  аксарият  яримўтказгичларда  тақиқланган 
зона  қисқариши  кўп  экспериментлар  билан  кўрсатилган,  бироқ  баъзи  тор  зонали 
яримўтказгичлар (PbTe, PbS, PbSe) борки, улардаҳарорат ортиши билан тақиқланган зона 
кенгайиши  кузатилади.  Бу  ишда  ушбу  аномал  ҳолат  энергетик  ҳолатлар  зичлигининг 
ҳароратга боғлиқлиги модели ёрдамида тушунтирилган. 

  Многими  экспериментами  показана  что,  при  повышении 
температуры  запрещенная  зона  полупроводника  уменьшается  но,  есть  некоторые 
ускозонные  полупроводники  (PbTe,  PbS,  PbSe)  где,  при  повышении  температуры 
запрещенная зона полупроводника увеличивается. В работе это аномальность объяснено по 
модели температурной зависимости плотности энергетических состояний.  

Many experiments have shown that, with  increasing temperature, the  forbidden 
zone  of  the  semiconductor  decreases  but  there  are  some  accelerated  semiconductors  (PbTe,  PbS, 
PbSe) where, with increasing temperature, the forbidden zone of the semiconductor increases. In the 
work, this anomaly is explained by the model of the temperature dependence of the energy states.