238

ишда  радиациявий  нуқсонлар  билан  компенсирланган  кремнийнинг 
электрофизикавий  хоссаларини  қайтадан  гамма–квантлар  билан  нурлантирилганда 
ўзгариши  тадқиқ  этилган  бўлиб,  олинган  натижаларни  тушунтирувчи  намуна 
ҳажмидаги  кичик  ва  катта  ўтказувчанлик  соҳалари  орасидаги  потенциал  тўсиқнинг 
радиациявий катталашиши модели таклиф қилинган. 

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 14-01-2021
  • Read count 227
  • Date of publication 14-01-2021
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages35-39
Ўзбек

ишда  радиациявий  нуқсонлар  билан  компенсирланган  кремнийнинг 
электрофизикавий  хоссаларини  қайтадан  гамма–квантлар  билан  нурлантирилганда 
ўзгариши  тадқиқ  этилган  бўлиб,  олинган  натижаларни  тушунтирувчи  намуна 
ҳажмидаги  кичик  ва  катта  ўтказувчанлик  соҳалари  орасидаги  потенциал  тўсиқнинг 
радиациявий катталашиши модели таклиф қилинган. 

Русский

в  работе  изучено  изменение  электрофизических  свойств  кремния, 
компенсируемых  радиационными  дефектами при повторном  облучении  гамма-квантом, 
и предложена модель увеличения при излучении потенциального  барьера между  высоко- и 
низко проводимых областях. 

English

in  the  paper  investigated  the  change  in  electrophysical  properties  of  silicon 
compensated by radiation defects when re-irradiated by gamma-quantum, and proposed a model of 
radiation magnification of the potential barrier between small and high conductivity fields. 

№ Author name position Name of organisation
1 Kurbanov A.O.
№ Name of reference
1 Yang,J,Li,X.,Liu,C.,Fleetwood,D.M.The effect of ionization and displacement damage on minority carrier lifetime // Microelectronics Reliability.2018,-V.82,-P.124-129.
2 Ermolov P.,Karmanov D.,Leflat A.,Manankov V.,Merkin M.,SHabalina E. Neytronno- navedennie effekti v zonnom kremnii, obuslovlennie divakansionnimi klasterami s tetravakansionnim yadrom // FTP. -Sankt-Peterburg, 2002, -T.36,-№ 10, -S.1194-1201.
3 Makhkamov Sh.,Karimov M.,Khakimov Z.M.,Odilova N.Dj.,Makhmudov Sh.A., Kurbanov A.O.,and Begmatov K.A. Interaction of deep impurities with radiation defects in n-Si at -irradiation // Radiation effects. and defects in solids.–Berlin, 2005. -V.160. -№8. - R.349-356.
4 Karimov M.Radiatsionno-fizicheskie protsessi v kompensirovannom kremnii. Avtoref.dis.dok.-fiz.-mat. nauk. -Tashkent, 2001.- 31 s.
Waiting