Арсенид-галлий тагликларда қалай эритма аралашмасидан суюқ фазали эпитаксия усулида (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y узлуксиз қаттиқ қоришмаларини ўстириш мумкинлиги кўрсатилди. Юпқа пардаларнинг 300К да вольтампер ва спектрал тавсифлари токнинг кучланишга боғлиқлиги, ҳар хил кўрсаткичли даражали функция J ~ Vα кўринишидалигини кўрсатди. Вольтампер тавсифи ва ёруғлик сезувчанликнинг ўзига хос спектрал боғланиши турли зарядланган таркибли комплексларнинг ўзаро боғланиш қонуниятлари билан аниқланди.
Арсенид-галлий тагликларда қалай эритма аралашмасидан суюқ фазали эпитаксия усулида (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y узлуксиз қаттиқ қоришмаларини ўстириш мумкинлиги кўрсатилди. Юпқа пардаларнинг 300К да вольтампер ва спектрал тавсифлари токнинг кучланишга боғлиқлиги, ҳар хил кўрсаткичли даражали функция J ~ Vα кўринишидалигини кўрсатди. Вольтампер тавсифи ва ёруғлик сезувчанликнинг ўзига хос спектрал боғланиши турли зарядланган таркибли комплексларнинг ўзаро боғланиш қонуниятлари билан аниқланди.
Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y на арсенид галлиевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава.Исследованиями вольтамперных и спектральных характеристик пленок при 300 К обнаружены не сколько участков, в которых зависимости тока от напряжения описываются степенной функцией типа J ~ Vα с различными значениями показателя. Установлено, что такой вид ВАХ и особенности спектральных зависимостей фоточувствительности обусловлены образованием различных комплексов заряженных компонентов.
Thearticle describes the possibility of growing solid solution (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y on arsenide-gallium substbrates by liquid phase epitaxy from a tin solution-melt. With studies of current-voltage and spectral characteristics of layers at 300 K a number of plots in which the current from the voltage dependence of the type described by J ~ Vα with different values of the indicator are detected. This type of CVC and features of the spectral dependence of photosensitivity due to the formation of various complexes of charged components are established.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | 1. A.S.Saidov, A.Sh.Razzakov, V.A.Risaeva, E.A.Koschanov. Materials chemistry and physics. № 68, 1-6 сс. 2001. 2. Саидов А.С., Саидов М.С., Кошчанов Э.А. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсе- нида галлия и твердых растворов на его основе.- Т.: Фан, 1986. 3. Никольский Б.П. Справочник химика. Т.1.- М-Л: Химия, 1982. 4. Саидов М.С. // Гелиотехника. 2001.- №.3.- Б.4-10 5. Зайнобидинов С.З. ва бошқалар. // Илмий хабарнома, АДУ.- 2013.- №.2.- Б.14-18 6. Стафеев В.И. // ЖTФ, Т.28.- 1958.- №.9.- С.1631-1641. 7. Лейдерман А.Ю. Карагеоргий-Алкалаев П.М. К теории полупроводниковых приборов при высо- ких уровнях инжекции.// Изв. АН РУз. Сер.физ.мат.наук.- 1965.- №5.- С.80-82 8. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупро- водниках.- М., 1978. 9. Лампер М.Т, Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.- М.: Мир, 1973. 10. Лейдерман А.Ю., Минбаева М.К. // ФТП. Т. 30.- 1996.- №.10.- C. 1729-1738. 11. К.А.Амонов. // Материалы XLVIII международной научной студенческой конференции.- Новоси- бирск, 2010. |