Янги технология билан олинган марганец силицид қатламларининг солиштирма қаршилигини ўлчаш учун тўрт зондли методни қўллаш натижалари баён қилинган.
Янги технология билан олинган марганец силицид қатламларининг солиштирма қаршилигини ўлчаш учун тўрт зондли методни қўллаш натижалари баён қилинган.
Описаны результаты применения четырехзондового метода для определения удельного сопротивления нового материала – силицида марганца.
The authors of this article try to describe the results of application of four zond method for definition of specific resistance of a new material - manganese silicide.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | 1. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл – полупроводник.- М.: Мир, 1975. 2. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая шко- ла, 1986. 3. Адамбаев К., Камилов Т.С. О роли силицидных пленок в формировании фотоэлектрических свойств кремния, легированного марганцем. // Всесоюзная конференция по фотоэлектрическим явле- ниям в полупроводниках. Сборник тезисов докладов.- Т., 1989. |