Мадола сохта легирланган A-SLH нинг 300 0 температурада электр утка- зувчанлиги оптик ва термал экспериментлар ордали текширилган ва бу долатда электр утказувчанлик кескин ошиши амалий уамда илмий-назарий жидатдан асосланган.
Experimental facts are suggested according to difinition of the initial position of the Fermi level, after external influence in the dependence of concentration and of charge state defects pseudodoped a-Si:H. It indicated that transferance sp after optical and thermal (not high temperatures) influence depends on concentration of defects wicht are in position D+. Maximums have been discovered in dependence of temperature of electrical conductivity pseudodoped a-Si:H weak p-type in temperatures apporoximately T=300 K.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Ikramov R.T. | 1 | FARGONA DAVLAT UNIVERSITETI |
| 2 | Abdullayev X.O. | 2 | FARGONA DAVLAT UNIVERSITETI |
| 3 | Gaybullayev S.F. | 3 | FARGONA DAVLAT UNIVERSITETI |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | [1 Ц.Г о л и к о в а О.А. ФТП. 1991, Т.25, В.5, С.1517 |
| 2 | [2].G о 1 i к о v а О.А., К а г а п i п М.М., I к г a m о v R.G. J. Non-Crys. Solids. 1993, V.164-165, С.396 |
| 3 | [3].М о р и г а к и К., С а н о Е., Хирабалши Н. Аморфные полупроводники и приборы на их основе М., 1986, С. 102 |
| 4 | [4].Г о - л и к о в а О.А., Сорокина К.Л. ФТП. 1992, Т.26, |
| 5 | [5.Г о л и к о в а О.А., И к - рамов Р.Г., К а з а н и н М.М., Мез д рог и н а М.М. ФТП. 1993, Т.27, В.З, С.465 |
| 6 | [6].Г о - л и к о в а О.А., Баб с ходжаев У.С., К а з а н и н М.М., Мездрогина М.М., А р - лаускас К., Ю ш а Г. ФТП. 1991, Т.25, В.З, С.551 |
| 7 | [7].Г о л и к о в а О.А., Б а б а х о д - ж а е в У.С., Д у б р о В.В., И к р а м о в Р.Г., К а з а н и н М.М., Я ф а е в Р.Р. ФТП, 1992, Т.26, В.1, С.66. |