Ёруғлик ва деформация таъсирида p-n ўтишда электрон ва ковакларнинг Ферми квазисатхларини ўрганилган. Ферми квазисатҳларининг ёруғлик ва деформация таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган. Ёруғлик ва деформация таъсирида электрон ва ковакларнинг ферми квазисатхларининг ўзгариши p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини j -V текислиги бўйлаб кучли силжишига сабаб бўлиши кўрсатилган.
Исследовоно изменения квазиуровеней Ферми электронов и дырок при освещение света и деформации. Рассмотрено связь между вольтамперной характеристикой p-n перехода и изменениями квазиуровней Ферми электронов и дқрок. Показано, что изменение квазиуровней Ферми освещением приводит к сильному перемещению вольтамперной характеристики p-n перехода по j-V плоскости.
Investigated the changes in the quasi-Fermi levels of electrons and holes under illumination of light and deformation. The relationship between the current-voltage characteristic of the pn junction and the changes in the quasi-Fermi levels of electrons and nuclei is considered. It is shown that a change in the Fermi quasilevels by illumination leads to a strong displacement of the current – voltage characteristic of the p – n junction along the j – V plane .
Ёруғлик ва деформация таъсирида p-n ўтишда электрон ва ковакларнинг Ферми квазисатхларини ўрганилган. Ферми квазисатҳларининг ёруғлик ва деформация таъсирида ўзгаришлари билан p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини боғлиқлиги кўриб чиқилган. Ёруғлик ва деформация таъсирида электрон ва ковакларнинг ферми квазисатхларининг ўзгариши p-n ўтишли диоднинг вольтампер характеристикасини j -V текислиги бўйлаб кучли силжишига сабаб бўлиши кўрсатилган.
№ | Author name | position | Name of organisation |
---|---|---|---|
1 | Gulyamov G.. | ўқитувчи | Наманган муҳандислик-қурилиш институти |
2 | Gulyamov A.. | o’qituvchi | Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика – техника институти |
3 | Majidova G.. | ўқитувчи | Наманган муҳандислик-қурилиш институти |
4 | Muhiddinova F.. | o’qituvchi | Наманган муҳандислик-қурилиш институти |
5 | Shahobiddinov B.. | ўқитувчи | Наманган муҳандислик-қурилиш институти |
№ | Name of reference |
---|---|
1 | Ҳелмут Спиелер “Introduction to radiation detectors and Electronis”, 30 – мар – 99. IX.2.a. A semiconductor device primer – doping and diodes. |
2 | S. Zi “Physics of Semiconductor Devices” volume - 1. Page (91 - 100). |
3 | V.L. Bonch-Bruevich, S. G. Kalashnikov “Physics of Semiconductors”, Nauka, Moscow, 1977 |