С помощью нестационарной емкостной спектроскопии изучена кинетика отжига уровней вольфрама в кремнии при термообработке в интервале температур 150?4000С. Обнаружено немонотонное изменение концентрации глубоких уровней Ec-0.30 эВ и Ec-0.39 эВ при изотермическом отжиге: концентрации обоих уровней при малых временах возрастают, затем концентрация уровня Ec-0.30 эВ резко падает, а уменьшение концентрации ГУ Ec-0.39 эВ происходит значительно медленнее.
С помощью нестационарной емкостной спектроскопии изучена кинетика отжига уровней вольфрама в кремнии при термообработке в интервале температур 150?4000С. Обнаружено немонотонное изменение концентрации глубоких уровней Ec-0.30 эВ и Ec-0.39 эВ при изотермическом отжиге: концентрации обоих уровней при малых временах возрастают, затем концентрация уровня Ec-0.30 эВ резко падает, а уменьшение концентрации ГУ Ec-0.39 эВ происходит значительно медленнее.
By means of deep level transient spectroscopy of the kinetics of the annealing of the levels of tungsten in silicon during heat treatment in the temperature range 150?4000С. Discovered a non-monotonic change in the concentration of deep levels Ec-0.30 eV and Ec-0.39 eV under isothermal annealing: the concentrations of both levels at short times increases, then the concentration level of Ec-0.30 eV sharply decreases, and the reduction of the concentration of deep level Ec-0.39 eV is much slower.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev S.K. | старший научный сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 2 | Nasriddinov S.S. | доцент, Заместитель директора по науки и иннновациям | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 3 | Paluanova A.D. | докторант | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |