|
ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ВОЛЬФРАМОМ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K.,
Nasriddinov S.S.,
Paluanova A.D. |
Rus |
415 |
|
|
СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ С НАНОКЛАСТЕРАМИ НИКЕЛЯ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Nasriddinov S.S.,
Usmanova S.P.,
Ismailov K.A. |
Rus |
419 |
|
|
АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ НА ОСНОВЕ ВЕРОЯТНОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЗОНДОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ТЕМПЕРАТУРЫ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Nasriddinov S.S.,
Egamberdiev B.E.,
Rakhmonov A.T.,
Kuznetsov S.F.,
Oblakulova I.S. |
Rus |
362 |
|
|
ЗАРЯДОВОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИОНОВ Si, ЭМИТИРУЕМЫХ МОНОЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМОЙ, ДО И ПОСЛЕ γ- ОБЛУЧЕНИЯ МИШЕНИ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Azamatov Z.T.,
Nasriddinov S.S.,
Satiboldiev T.B.,
Tojinazarov F.M.,
Kodirov S.R. |
Rus |
317 |
|
|
КРИТЕРИИ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПЕНСИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ КРЕМНИЯ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Nasriddinov S.S.,
Ismailov S..,
Esbergenov D..,
Mannonov M.. |
O'zbek |
303 |
201 |
|
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК Bi2-ХSbХTe3
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Nasriddinov S.S.,
Onarqulov M.K.,
Yuldashev S.A. |
Rus |
281 |
171 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЕ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Nasriddinov S.S. |
Rus |
175 |
|
|
ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Nasriddinov S.S. |
Rus |
176 |
|
|
CRITERIA FOR OBTAINING COMPENSATED NICKEL SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Nasriddinov S.S. |
Ingliz |
171 |
|
