|
ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ВОЛЬФРАМОМ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K.,
Nasriddinov S.S.,
Paluanova A.D. |
Rus |
720 |
|
|
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА НЕЭФФЕКТИВНОСТЬ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K.,
Mamadalimov A.T. |
Rus |
675 |
|
|
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K.,
Paluanova A.D.,
Fayzullaev K.M.,
Kaypnazarov S.G. |
Rus |
657 |
|
|
ДЕФЕКТНАЯ СТРУКТУРА КРЕМНИЯ С ПРИМЕСЬЮ ВОЛЬФРАМА ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНИХ ФАКТОРОВ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Daliev S.K.,
Paluanova A.D.,
Ergashev J..,
Rakhimov A.. |
O'zbek |
525 |
417 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ ЖЕЛЕЗА
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Daliev S.K.,
Ravshanov Y.R.,
Esbergenov D.M. |
O'zbek |
473 |
373 |
|
РАДИАЦИОННОЕ И ТЕРМИЧЕСКОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev K.S.,
Daliev S.K.,
Paluanova A.D.,
Khusanov Z.. |
Rus |
660 |
|
|
DEFECTS FORMATION IN SILICON DOPE D WITH YTTERBIUM AND IRRADIATED BY ELECTRONS
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K. |
Ingliz |
363 |
|
|
DEFECT STRUCTURE OF SILICON WITH AN IMPURITY OF TUNGSTEN UNDER THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K. |
Ingliz |
389 |
|
|
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Daliev S.K. |
Ingliz |
535 |
|
