Методами DLTS и ФЕ изучен энергетический спектр дефектов в кремнии, легированном атомами молибдена. Обнаружено, что диффузионное введение Mo в Si приводит к образованию трех глубоких уровней с энергиями ионизации Ес-0.20 эВ и Ес - 0.29 эВ и Еv+0.36 эВ. Показано, что термическая и оптическая энергии активации уровней в n-Si<Mo> практически совпадают
Методами DLTS и ФЕ изучен энергетический спектр дефектов в кремнии, легированном атомами молибдена. Обнаружено, что диффузионное введение Mo в Si приводит к образованию трех глубоких уровней с энергиями ионизации Ес-0.20 эВ и Ес - 0.29 эВ и Еv+0.36 эВ. Показано, что термическая и оптическая энергии активации уровней в n-Si<Mo> практически совпадают
The DLTS and PC methods were used to study the energy spectrum of defects in silicon doped with molybdenum atoms. It was found that the diffusion introduction of Mo into Si leads to the formation of three deep levels with ionization energies Ec-0,20 eV and Ec – 0,29 eV and Ev + 0,36 eV. It is shown that the thermal and optical activation energies of the levels in n-Si <Mo> practically coincide.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev S.K. | доктор философии (PhD), старший научный сотрудник | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 2 | Paluanova A.D. | базовый докторант | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 3 | Fayzullaev K.M. | базовый докторант | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| 4 | Kaypnazarov S.G. | базовый докторант | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |