В настоящей статье представлены результаты исследования спектров фотопроводимости исходных образцов кремния p-типа с r = 1 Ом×см, легированных серой в темновых условиях и при постоянной подсветке при прямом и обратном включениях. При прямом включении диодной структуры наблюдалась отрицательная фотопроводимость, связанная с инжекцией носителей тока, обусловленной наличием уровня Е =0,4эВ. Обнаружен отчетливый минимум при значении E»0,52эВ, где имеет место инфракрасное гашение фотопроводимости (ИКГФП) в образцах как в прямом так при обратном включениях при постоянной подсветке
В настоящей статье представлены результаты исследования спектров фотопроводимости исходных образцов кремния p-типа с r = 1 Ом×см, легированных серой в темновых условиях и при постоянной подсветке при прямом и обратном включениях. При прямом включении диодной структуры наблюдалась отрицательная фотопроводимость, связанная с инжекцией носителей тока, обусловленной наличием уровня Е =0,4эВ. Обнаружен отчетливый минимум при значении E»0,52эВ, где имеет место инфракрасное гашение фотопроводимости (ИКГФП) в образцах как в прямом так при обратном включениях при постоянной подсветке
The paper reports results of study of photoconductivity spectrum of sulfur- doped samples of silicon (initial p-type silicon with r = 1 Ohm×cm) under dark conditions and while samples were subjected to constant light in forward and reverse switching modes. The authors report negative photoconductivity of the diode structure in forward mode, which is most likely associated with the injection of current carriers, associated with the level E = 0,4 eV. A sharp decrease in photoconductivity was detected at E »0,52 eV, where one can witness infrared quenching of photoconductivity (IRQ) in samples in forward and reverse modes in light
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |