Бош саҳифа
Журналлар
Муаллифлар
Мақолалар
Янгиликлар
O'zbek
Руский
Инглиз тили
Кириш
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES
Бош саҳифа
Мақолалар
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES
228
Журнал номи
Физика полупроводников и микроэлектроника
Нашр номи
2020, том 2, выпуск 3
Кўришлар сони
228
Internet ҳавола
https://uzjournals.edu.uz/semiconductors/vol2/iss3/2/
DOI
UzSCI тизимида яратилган сана
27-03-2022
Ўқишлар сони
0
Нашр санаси
25-06-2020
Мақола тили
Ingliz
Саҳифалар сони
13-16
Калит сўзлар
Аннотациялар
Муаллифлар
Фойдаланилган адабиётлар
Ҳужжатни онлайн кўриш
№
Муаллифнинг исми
Лавозими
Ташкилот номи
1
Utamuradova S.B.
Директор
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
№
Ҳавола номи
Кутилмоқда