28 Sentabr 2024
31DASTURLANGAN LABARATORIYA ISHLARIDA YARIMOʻTKAZGICHLARNING TA’QIQLANGAN ZONA KENGLIGI TUSHUNCHASI
66f7812dd9bd4.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
АВТОРЫ
X.Aslonov
Andijon davlat pedagogika instituti
Теги
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- Методы развития творческого мышления учащихся на уроках технологии
АГПИ Научный вестник · 10 Iyun 2026
- УЧЕБНИКИ ПОДДЕРЖИВАЮЩИЕ АКТИВНОЕ ОБУЧЕНИЕ УЧАЩИХСЯ В НАЧАЛЬНОМ ОБРАЗОВАНИИ: МЕТОДИЧЕСКИЕ ПОДХОДЫ К ДИЗАЙНУ
АГПИ Научный вестник · 10 May 2026
- Теоретико-методологические основы развития интерпретационного мышления в рамках читательской грамотности обучающихся
АГПИ Научный вестник · 10 May 2026
- Формирование у детей устойчивости к воздействию рекламы: подготовка педагогов к работе с проблемой таргетированного маркетингового давления на дошкольников
АГПИ Научный вестник · 10 May 2026
- Создание конструктивной образовательной среды и реализация STEAM-интеграции посредством текстовых задач в начальных классах
АГПИ Научный вестник · 10 May 2026
- Развитие моторных и эмоциональных навыков у детей с расстройствами аутистического спектра: механизмы действия активных игр
АГПИ Научный вестник · 10 May 2026
Оценить статью
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
1. S.Zaynobiddinov, Sh.Yoʻlchiyev, D.Nazirov, M.Nosirov. Yarimoʻtkazgichlarda atomlar diffuziyasi. Toshkent 2012. 5-6 s
2. Physical Models for Semiconductor Device Simulation. Andreas Schenk pp. 4-5
3. D.B.Klaassen, J.W.Slotboom, and H.C. de Graaff. Unified apparent bandgap narrowing in n- and p-type silicon” Solid State Electron, vol. 35, no. 2, pp. 125–129, 1992.
4. S.C. Jain and D.J. Roulston, “A simple expression for band gap narrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSi1−x strained layers,” Solid-State Electronics, vol. 34, no. 5, pp. 453–465, 1991