Заглавие Авторы Язык статьи Просмотры Чтения
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY

Физика полупроводников и микроэлектроника

Daliev S.K. Ingliz 616 0
ОСОБЕННОСТИ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Movlonov G.H.,
Isomov S.B.,
Ibodullayev S.N.,
Shergoziyev S.B. 		Rus 612 0
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Zn и Se

Физика полупроводников и микроэлектроника

Zikrillaev N.F. Rus 610 0
ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ayupov Q.S. Rus 554 0
SPECTRA OF ENERGY LEVELS OF NANO - SCALE "QUASIMOLECULES" OF SULFUR IN SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

Askarov S.I. Ingliz 544 0
ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Erkaboev U.I. Rus 541 0
PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

Mavlyanov A. . Ingliz 538 0
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Turaev E.Y. Rus 525 0
NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE EFFECT IN ZnMgO MEMRISTOR WITH SiO 2 THIN OXIDE LAYER ON P - TYPE SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

Abdullaev S.. O'zbek 508 0
INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION

Физика полупроводников и микроэлектроника

Zaynobidinov S.. Ingliz 503 0