Установлены уникальные магнитные свойства кремния содержащего нанокластеры образованные примесными атомами марганца и аномально высокое отрицательное магнитосопротивление при комнатной температуре, отсутствующее в обычных легированных полупроводниковых материалах.
Установлены уникальные магнитные свойства кремния содержащего нанокластеры образованные примесными атомами марганца и аномально высокое отрицательное магнитосопротивление при комнатной температуре, отсутствующее в обычных легированных полупроводниковых материалах.
The unique magnetic properties of silicon containing nanoclusters formed by impurity manganese atoms and anomalously high negative magnetoresistance at room temperature, which are absent in conventional doped semiconductor materials, have been established
| № | Имя автора | Должность | Наименование организации |
|---|---|---|---|
| 1 | Movlonov G.H. | сотрудник | ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА |
| 2 | Isomov S.B. | Сотрудник | ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА |
| 3 | Ibodullayev S.N. | базовый докторант | ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА |
| 4 | Shergoziyev S.B. | базовый докторант | ТАШКЕНТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ИСЛАМА КАРИМОВА |
| № | Название ссылки |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |