557

Издатель

Название:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Адрес:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электронная почта: ispm_uz@mail.ru

Название 2019, том 1, выпуск 6
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Номер тома 1
Дата выпуска 27/10/2020
Страницы 78
Номер выпуска в этом году 6
Общее число 78
Файл
В ожидании
Полное название статьи Язык Страницы Количество просмотров Количество прочтений

STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 9-14 325 0

ОСОБЕННОСТИ МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С МАГНИТНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 260 0

DEVELOPMENT OF PHOTOTHERMOELECTRIC CONVERTERS AND RESEARCH OF THEIR DESIGN AND OPERATIONAL FEATURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 21-25 268 0

НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОЙ Au- GaAs:O-nCdS-nInP-Au-СТРУКТУРЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 26-33 372 0

МЕТОДЫ ПОСТРОЕНИЯ НАГРУЗОЧНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ НА МОП-ТРАНЗИСТОРАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 34-40 321 0