|
ПРИНЦИПЫ ПОВЫШЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВИЯМ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Juraev D.R.,
Karimov A.V.,
Yodgorova D.M.,
Turaev A.A. |
Rus |
424 |
|
|
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Giyasova F.A.,
Karimov A.V.,
Yodgorova D.M.,
Abdulkhaev O.A.,
Kuliev S.M.,
Shertoev J.K. |
Rus |
465 |
|
|
ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Karimov A.V.,
Khakimov A.A.,
Istamov D.B.,
Karimov A.A.,
Kamanov B.M. |
Rus |
374 |
|
|
О МЕХАНИЗМЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МНОГОБАРЬЕРНОЙ ФОТОДИОДНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Giyasova F.A.,
Karimov A.V.,
Abdulkhaev O.A.,
Khakimov A.A.,
Yakubov A.A. |
Rus |
408 |
|
|
THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Karimov A.V.,
Abdulkhaev O.A.,
Khakimov A.A.,
Yakubov A.A. |
Ingliz |
370 |
|
|
НОВАЯ РАЗНОВИДНОСТЬ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ДИНАМИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Karimov A.V.,
Karimov A.A.,
Kamanov B.M.,
Yodgorova D.M. |
Rus |
372 |
|
|
НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОЙ Au- GaAs:O-nCdS-nInP-Au-СТРУКТУРЫ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Giyasova F.A.,
Karimov A.V.,
Abdulkhaev O.A.,
Yodgorova D.M. |
Rus |
375 |
|
|
A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Karimov A.V. |
Ingliz |
196 |
|
