Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, что независимо от возбуждаемой поверхности они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0,85-0,9 мкм и 1,31-1,55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник
Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-vGaAs:O-nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, что независимо от возбуждаемой поверхности они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0,85-0,9 мкм и 1,31-1,55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник
The research results of photosensitivity of Au-vGaAs: O-nCdS-nInP-Au structure heterojunction under various electrical circuit configuration are presented. It is shown experimentally that irrespective of the excited surface, they differ in photosensitivity in the spectral range of 0,85-0,9 μm and 1,31-1,55 μm, which is associated with photo-generation processes in high-resistance gallium arsenide and photoemission processes from metal to semiconductor
№ | Имя автора | Должность | Наименование организации |
---|---|---|---|
1 | Giyasova F.A. | сотрудник | Институт Материаловедения НПО “Физика-Солнце” АН |
2 | Karimov A.V. | Зав. лабораторией | Институт Материаловедения НПО “Физика-Солнце” АН |
3 | Abdulkhaev O.A. | Зав. лабораторией | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
4 | Yodgorova D.M. | Зав. лабораторией | НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ |
№ | Название ссылки |
---|---|
1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |