Название | 2019, том 1, выпуск 1 | ||
Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
Номер тома | 1 | ||
Дата выпуска | 28/02/2019 | ||
Страницы | 71 | ||
Номер выпуска в этом году | 1 | ||
Общее число | 6 | ||
Файл |
Полное название статьи | Язык | Страницы | Количество просмотров | Количество прочтений |
---|---|---|---|---|
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 32-34 | 424 | 0 |
ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНОЙ ОБЛАСТИ СОСТАВОВ GaxIn1-xP НА ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 35-37 | 305 | 0 |
ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МОП СТРУКТУРЫ Al-Al2O3-p-CdTe-Mo -В ПРЯМОМ НАПРАВЛЕНИИ ТОКА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 38-40 | 423 | 0 |
ПРИНЦИПЫ ПОВЫШЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВИЯМ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 45-47 | 567 | 0 |
ИЗМЕРИТЕЛЬ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ОПТОВОЛОКОННЫХ ЛИНИЙ СВЯЗИ И ЦИФРОВОЙ МУЛЬТИМЕТР Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 48-50 | 502 | 0 |