289

Впервые разработана математическая модель определения влияния сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного поля на температурную зависимость осцилляции Шубникова-де Гааза в узкозонных полупроводниках. На основании предложенной математической модели с использованием экспериментальных результатов выведены осцилляции поглощение микроволнового излучения в полупроводниковых структурах при высоких температурах.

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 289
  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 21-08-2020
  • O'qishlar soni 173
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar274-278
Русский

Впервые разработана математическая модель определения влияния сверхвысокочастотного (СВЧ) электромагнитного поля на температурную зависимость осцилляции Шубникова-де Гааза в узкозонных полупроводниках. На основании предложенной математической модели с использованием экспериментальных результатов выведены осцилляции поглощение микроволнового излучения в полупроводниковых структурах при высоких температурах.

English

For the first time, a mathematical model has been developed to determine the influence of a extreme high frequency electromagnetic field on the temperature dependence of the Shubnikov-de Haas oscillations in narrow-gap semiconductors. Based on the proposed mathematical model and using experimental results, oscillations of the absorption of microwave radiation in semiconductor structures at high temperatures are found.

Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Mirzayev J.U.
2 Gulyamov G..
3 Erkaboyev U..
Havola nomi
1 Alhun Aydin, Altug Sisman. Physics letters A. 382, 1807 (2018).
2 G.Gulyamov, U.I.Erkaboev, N.Yu.Sharibaev, A.G.Gulyamov. Semiconductors. 53(3), 375(2019).
3 N.T.Bagraev, V.Yu.Grigoryev, L.E.Klyachkin, A.M.Malyarenko, V.A.Mashkov, V.V.Romanov, N.I.Rul`. Low temperature physics. 43(1), 132(2017).
4 Kazuma Eto, Zhi Ren, Taskin A.A, Kouji Segawa, Yoichi Ando. Physical Review В. 81(19), 5309(2010).
5 A.I.Veinger, I.V.Kochman, V.I.Okulov, M.D.Andriichuk, L.D.Paranchich Semiconductors. 52(8), 980(2018).
6 F.Bass, V.S.Bochkov, Yu.G.Gurevich. Electrons and phonons in limited semiconductors. Moscow, “Science”. 1984 y. 250 P.
7 И.М.Цидилковский. Электроны и дырки в полупроводниках. М., «Наука», 1972, с. 447.
8 G.Gulyamov, U.I.Erkaboev, N.Yu.Sharibaev. Modern physics letters B. 30(7), 1650077(2016).
9 U.I.Erkaboev, G.Gulyamov, J.I.Mirzaev and R.G.Rakhimov. International Journal of Modern Physics B. 34(7), 2050052(2020).)
10 G.Gulyamov, U.I.Erkaboev, N.Yu.Sharibaev. Semiconductors. 48(10), 1323(2014).
Kutilmoqda