230

В работе методом растровой электронной спектроскопии высокого разрешения исследован механизм формирования тонких пленок силицида рубидия при имплантации низкоэнергетических ионов Rb в Si(111). Показано, что при имплантации малых доз ионов Rb+ наблюдается формирование отдельных мелких островков силицида рубидия с размерами 10- 30 нм, которые при больших дозах сливаются в более крупные (размером 30-100 нм) островки, округлой формы с монокристаллической структурой.

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 230
  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 22-08-2020
  • O'qishlar soni 115
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar152-155
Русский

В работе методом растровой электронной спектроскопии высокого разрешения исследован механизм формирования тонких пленок силицида рубидия при имплантации низкоэнергетических ионов Rb в Si(111). Показано, что при имплантации малых доз ионов Rb+ наблюдается формирование отдельных мелких островков силицида рубидия с размерами 10- 30 нм, которые при больших дозах сливаются в более крупные (размером 30-100 нм) островки, округлой формы с монокристаллической структурой.

English

In this work, the mechanism of the formation of thin films of rubidium silicide upon implantation of low-energy Rb ions in Si (111) was studied by highresolution scanning electron spectroscopy. It was shown that upon implantation of small doses of Rb+ ions, the formation of individual small islands of rubidium silicide with sizes of 10-30 nm is observed, which at large doses merge into larger (30-100 nm) islands, round in shape with a single crystal structure.

Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Rysbaev A.S.
2 Bekpulatov I.R.
3 Irgashev S.U.
4 Turapov I.X.
Havola nomi
1 Rysbaev A.S., Khujaniyozov J.B., Bekpulatov I.R., Rakhimov A.M. // Journal of Surface Investigation, 2017, № 9, Р. 994-999
2 Rysbaev A.S., Khujaniyazov J.B., Rakhimov A.M., Bekpulatov I.R.// Technical Physics, 2014, Vol. 59, № 10, Р. 1526-1530.
3 Rysbaev A.S., Khujaniyazov J.B. and oth. // Eurasion Journal of Physics and Functional Materials. 2020.v4.№ 1. pp. 50-60.
4 Rysbaev A.S., Khuzhaniyazov Zh.В., Bekpulatov I.R.// E-MRS Spring Meeting, Lille, France, 2016, P 2.8.
5 Korol' V.M., Kudryavcev Yu.// FTP. 2012, t.46, vyp.2, s.268 - 273.
6 Gusev A.I. Nanomaterialy, struktury, tehnologii./ M.: Fizmatlit, 2005, s. 55-56.
Kutilmoqda