237

В статье моделируется влияние локального заряда, встроенного в оксидный слой как на пороговое напряжение, так и на емкость бокового перехода сток-подложка. Показано, что изменения порогового напряжения и емкости бокового перехода зависят от размеров локального заряда и его положения вдоль канала относительно стока.

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 237
  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 05-10-2020
  • O'qishlar soni 136
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar335-340
Русский

В статье моделируется влияние локального заряда, встроенного в оксидный слой как на пороговое напряжение, так и на емкость бокового перехода сток-подложка. Показано, что изменения порогового напряжения и емкости бокового перехода зависят от размеров локального заряда и его положения вдоль канала относительно стока.

English

Influence of the local charge introduced in oxide layer to threshold voltage as well as to the capacitance of lateral transition drain-base of MOSFET is simulated. It is shownthe change of the threshold voltage and the capacitance depend on local charge size and position relative drain.

№ Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Yusupov A..
2 Atamuratova Z.A.
3 Atamuratov A.E.
№ Havola nomi
1 Yeohyeok Yun, Ji-Hoon Seo, Donghee Son, Bongkoo Kang. Method to estimate profile of threshold voltage degradation in MOSFETs due to electrical stress. Microelectronics Reliability 88–90 (2018) 186–190.
2 S. Christoloveanu, H Haddara, N. Revill. Defect localization induced by hot carrier injection in short-channel MOSFET: concept, modeling and characterization. Microelectronics Reliability, V33,N9, pp.1365-1385, 1993.
3 Javier Diaz-Fortuny, Javier Martin-Martinez, Rosana Rodriguez, Rafael Castro-Lopez, Elisenda Roca, Francisco V. Fernandez, Montserrat Nafria. A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models. Solid State Electronics 159 (2019) 99–105.
Kutilmoqda