261

С помощью радиоактивной методики и емкостной спектроскопии установлено, что легирование Si марганцем из слоя на поверхности, приводит к уменьшению как полной концентрации Ni, так и концентрации электроактивных атомов Ni. Слой Mn, нанесенный на поверхность Si, выступает в качестве геттера для примеси Ni. Показано, что при последовательном легировании Ni, а затем Mn, одновременном легировании кремния Mn и Ni, наблюдаются только уровни, характерные для Mn

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 261
  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 06-10-2020
  • O'qishlar soni 166
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar290-296
Русский

С помощью радиоактивной методики и емкостной спектроскопии установлено, что легирование Si марганцем из слоя на поверхности, приводит к уменьшению как полной концентрации Ni, так и концентрации электроактивных атомов Ni. Слой Mn, нанесенный на поверхность Si, выступает в качестве геттера для примеси Ni. Показано, что при последовательном легировании Ni, а затем Mn, одновременном легировании кремния Mn и Ni, наблюдаются только уровни, характерные для Mn

English

: Using the radioactive technique and capacitive spectroscopy, it was found that the doping of Si with manganese from the layer on the surface leads to a decrease in both the total concentration of Ni and the concentration of electroactive Ni atoms. The Mn layer deposited on the Si surface acts as a getter for the Ni impurity. It is shown that with successive doping of Ni and then Mn, and simultaneous doping of silicon with Mn and Ni, only the levels characteristic of Mn are observed

№ Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Utamuradova S..
2 Yusupova ..
3 Fayzullaev K..
№ Havola nomi
1 Vyvenko O.F., Sachdeva R. et al, Study of diffusivity and electrical properties of Zr and Hf in silicon, in Semiconductor Silicon-2002. 2002, The Electrochemical Society: Pennington. p. . Mil'vidskij M.G., Osvenskij V.B. Strukturnye defekty v monokristallah poluprovodnikov. Moskva: Metallurgiya, 1984, 256 s
2 Zajnabidinov S.Z., Daliev H.S. Defektoobrazovanie v kremnii. Tashkent: Universitet, 1993. 192 s.
3 Svojstva legirovannyh poluprovodnikovyh materialov: Sb.nauchn.tr. / Pod red. V.S.Zemskova. M.: Nauka, 1990. 256 s
4 Kolbensen B.O., Cerva H., Zoth G. // Sol.St. Phenomena. 2001. 76-77, 1.
5 Utamuradova Sh. B., Daliev H. S., Daliev Sh. H., Fajzullaev K. M. // Prikladnaya fizika. 2019. № 6. S. 90
Kutilmoqda