284

С  помощью  фото-ВАХ  мишени  видикона  исследованы  плёнки 
аморфного  гидрированного  кремния.  В  фото-ВАХе  наблюдается  участок,  который 
подчиняется  квадратичному  закону.  Объяснено,  что  существенным  является  вклад 
изменения диэлектрической проницаемости a-Si:H и время жизни дырок в зависимости от 
приложенного напряжения в получение информации из этого участка о механизме переноса 
дырок 

  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 25-01-2021
  • O'qishlar soni 278
  • Nashr sanasi 25-01-2021
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar12-19
Русский

С  помощью  фото-ВАХ  мишени  видикона  исследованы  плёнки 
аморфного  гидрированного  кремния.  В  фото-ВАХе  наблюдается  участок,  который 
подчиняется  квадратичному  закону.  Объяснено,  что  существенным  является  вклад 
изменения диэлектрической проницаемости a-Si:H и время жизни дырок в зависимости от 
приложенного напряжения в получение информации из этого участка о механизме переноса 
дырок 

English

In  this manuscript,  films  of  amorphous  hydrogenated  silicon were  studied    by 
using  the photo-VACH  characteristics  of  the vidicon  target.  In  the photo-VACH  characteristic,  a 
region  is observed that obeys the quadratic  law. It is explained that the contribution of changes  in 
the dielectric constant of a-Si:H and the hole lifetime depending on the applied voltage for obtaining 
information from this section about the hole transportation mechanism is too significant.  

Ўзбек

Ushbu  maqolada  Vidikon  nishonining  foto-VAX  xususiyatlaridan 
foydalanib,  gidrogenlangan  amorf  kremniyning  yupqa  qatlamlari  o'rganilgan.  Volt-Amper 
Xarakteristikasida  kvadrat  qonuniga  bo'ysunadigan  hudud  kuzatilgan.  a-Si:H  qatlamlarining 
dielektrik singdiruvchanligi o'zgarishi va qo'llaniladigan kuchlanishga bog'liq holda kovaklarning 
harakatlanish mexanizmi haqida muhim ma'lumotlar keltirilgan. 

№ Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Nabiyev A.B.
№ Havola nomi
1 V. P. Afanasev, E. I. Terukov, A. A. SHerchenkov. Tonkoplenochnie solnechnie elementi na osnove kremniya. 2-e izd., C.-Peterburg: SPbGETU «LETI», 2011.
2 YU.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobil, V.P. Kostilev, E.I. Terukov, A.S. Abramov, V.N. Verbitskiy, S.A. Kudryashov, K.V.Emsev, I.O.Sokolovskiy. FTP, 2015,tom 49, vip.5, s. 697-706.
3 S.V. Kuznetsov. FTP, 2000,tom 34, vip.6, s. 748-752.
4 Y. Xamakavi. Amorfnie poluprovodniki i pribori na ix osnove. Moscow, Metallurgy, 1986, p.375
5 Crandall R.–Appl. Phys., Lett., 37 (1980) 607.
6 Mort J. et al. - Appl. Phys., Letta, 38 (1981) 277.
7 Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl, V. P. Kostyiyov, P. N. Romanets, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012. V. 15, N 2. P. 91-116 S. Zaynobidinov, U. Babakhodzhayev, A. Nabiyev. Journal of Scientific and Engineering Research, 2019, 6(2):252-255.
Kutilmoqda