В статье рассматриваются физико-химические основы взаимодействия лазерного излучения с полупроводниковым веществом. Показаны возможности и определены условия легирования полупроводниковых кристаллов кремния примесными атомами железа и олова. Приведена схема лазерной технологической установки, позволяющей получать сравнительно глубокие и гомогенные профили внедренных атомов.
Мақолада лазер нурланишларининг яримўтказгичли модда билан ўзаро таъсирлашувининг физик-кимёвий асослари кўриб чиқилган. Яримўтказгичли кремний кристалларини темир ва қалай билан легирлаш имкониятлари кўрсатилган ва шароитлари аниқланган. Киритилган атомларнинг нисбатан чуқур ва бир хил тақсимланишини таъминлайдиган лазерли технологик қурилманинг тузилиш чизмаси келтирилган.
В статье рассматриваются физико-химические основы взаимодействия лазерного излучения с полупроводниковым веществом. Показаны возможности и определены условия легирования полупроводниковых кристаллов кремния примесными атомами железа и олова. Приведена схема лазерной технологической установки, позволяющей получать сравнительно глубокие и гомогенные профили внедренных атомов.
The article studies the physic-chemical basis of the interaction of laser radiation with a semiconductor material. The possibilities and determine the conditions of alloying semiconductor crystals of silicon impurity atoms of iron and tin are shown. The schema of the laser technological settings and allows receiving relatively deep and homogeneous sections of interstitial are shown.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | 1. Голубев В.С., Лебедев Ф.В. Физические основы технологических лазеров.- М.: ВШ,1987. 2. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов.- М.: Мир, 1986. 3. Zaynobidinov S.Z., Yo’lchiyev Sh., Nazirov D., Nosirov M. Yarimo’tkazgichlarda atomlar diffuziyasi.- T., 2012. 4. Рябов С.Г., Торопкин Г.Н., Усольцев И.Ф. Приборы квантовой электроники.- М.: Радио и связь, 1985. 5. Карлов И.В. Лекции по квантовой электронике.- М.: Наука, 1983. |