Методом электронно-зондового микроанализа исследованы структура и химический состав примесных преципитатов Со в монокристаллах Si. Как выявлено, размеры и формы примесных преципитатов зависят от значения скорости охлаждения образцов после диффузионного отжига. Установлено, что основная часть атомов легирующей примеси, а также технологических примесей расположена в центре преципитата.
Методом электронно-зондового микроанализа исследованы структура и химический состав примесных преципитатов Со в монокристаллах Si. Как выявлено, размеры и формы примесных преципитатов зависят от значения скорости охлаждения образцов после диффузионного отжига. Установлено, что основная часть атомов легирующей примеси, а также технологических примесей расположена в центре преципитата.
By means of electron-probe microanalysis the structure and chemical composition of precipitates of Со in monocrystalline Si are investigated in this article.. As revealed measures and form of precipitates depend on the importance of models cooling rate, after diffusional burning. The authors established that the most part of atoms of doped admixture, as well as of technological admixtures disposed in the center of precipitate.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Turg'unov N.A. |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | 1. Zainabiddinov S.Z., Turaev A.R., Karimberdiev Kh.Kh., Kholbekov A. Influence of Cooling Rate on the Formation of impurity Silicides in Si. Turkish Journal of Physics, 12, 129 (1994). 2. Гегузин Я.Е. Макроскопические дефекты в металлах. – М.: Металлург-издат, 1962. 3. Булярский С.В., Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводни- ках. – М.: Наука, 1997. 4. В.В. Светухин, А.Г. Гришин, О.В. Приходько. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинча- тых кислородных преципитатов в кремнии. ФТП, 37, 871 (2003). 5. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. – М.: Мир, 1986.- С.176. |