Определены протяженные дефекты методом низкотемпературной фотолюминесценции в эпитаксиальных пленках ZnTe/GaAs. Выяснена природа протяженных дефектов.
ZnTe/GaAs эпитаксиаль пленкасында төмен температуралы фотолюминесценция усылы менен тартымлы нуқсанлар анықланды. Тартымлы нуқсанлардың тәбияты анықланды.
ZnTe/GaAs эпитаксиал пленкаларида паст ҳароратли фотолюминесценция усули билан тортишувчи нуқсонлар аниқланди. Тортишувчи нуқсонларнинг табияти аниқланди.
Определены протяженные дефекты методом низкотемпературной фотолюминесценции в эпитаксиальных пленках ZnTe/GaAs. Выяснена природа протяженных дефектов.
Extended defects were determined by the method of low-temperature photoluminescence in epitaxial films ZnTe/GaAs. The nature of extended defects is clarified.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Sharibaev M.. | Professor | Karakalpak State university |
| 2 | Bijanov A.. | Professor | Karakalpak State university |
| 3 | Uteeva M.P. | Professor | Karakalpak State university |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | 1. J. Petruzzello, D.J. Olego, X. Chu, J.P. Faurie, “Transmission electron microscopy of (001)ZnTe on (001)GaAs, grown by molecular beam epitaxy”, J. Appl. Phys., 1988, v.63, No5. |
| 2 | 2. S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J. Qiu, and H. Cheng, “Degradation of II-VI based blue-green emitters”, Appl. Phys. Lett., 1993, Vol. 63, No 23. |
| 3 | 3. Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский “Одномерные структуры, образованные низкотемпературным скольжением дислокаций - источники дислокационного поглощения и излучения в полупроводниковых кристаллах AIIBVI”, ФТП, 1998, т.32, №6. |
| 4 | 4. В.Д. Негрий, “Пьезоспектроскопия излучения винтовых дислокаций”, ФТТ, 1992, т.34, №8. |
| 5 | 5. K.Kumazaki, F.Iida, K. Ohno, K. Hatano and K. Imai, “Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs”, J. Cryst. Growth, 2009, vol.117. |