В статье рассматривается влияние нестехиометричности состава на электрические свойства соединений бора вида МВ66. Представлены температурные зависимости электро-проводности и термоэдс для трёх образцов GdB66 отличающиеся по составу в области гомо-генности. Приведенные электрические свойства указанных соединений можно описать в рамках модели плотности состояний, как у аморфного полупроводника. Установлено, что отклонение от состава МВ66 существенно не влияет на механизм проводимости. Образцы соединений различных МВ66, как и образцы одного и того же металла, но различного состава, отличаются степенью заполнения состояний хвоста g(), т.е. появляется возможность управлять электрическими свойствами соединений МВ66.
В статье рассматривается влияние нестехиометричности состава на электрические свойства соединений бора вида МВ66. Представлены температурные зависимости электро-проводности и термоэдс для трёх образцов GdB66 отличающиеся по составу в области гомо-генности. Приведенные электрические свойства указанных соединений можно описать в рамках модели плотности состояний, как у аморфного полупроводника. Установлено, что отклонение от состава МВ66 существенно не влияет на механизм проводимости. Образцы соединений различных МВ66, как и образцы одного и того же металла, но различного состава, отличаются степенью заполнения состояний хвоста g(), т.е. появляется возможность управлять электрическими свойствами соединений МВ66.
These article discussions the effect of non-stoichiometric composition on the electrical properties of baron compounds of the type MB66. The temperature dependence of the electrical conductivity and thermo power for three GdB66 samples differing in composition in the homogeneity region are pre-sented. The given electrical properties of these compounds can be described in terms of the density of states model as in an amorphous semiconductor. It has been established that deviations from the composition of MB66 do not significantly affect the mechanism of conductivity. Samples of compounds of different MB66, as well as samples of the same metal, but of different composition, different in the degree of filling of the tail states g (), i.e. it becomes possible to control the electrical properties of the connections MB66.
№ | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
---|---|---|---|
1 | Tadjiev A.A. | Dotsent | TDTU |
2 | Baymatova N.T. | katta o'qituvchi | TDTU |
3 | Batirova S.B. | magistrant | TDTU |
4 | Ahtamov U.U. | magistrant | TDTU |
№ | Havola nomi |
---|---|
1 | Golikova O.A. Elektron transport in boron-rich borids. // Jurnal Chemtronics,1991.Vol.5.R.3-9. |
2 | Tadjiev A. A. Issledovaniya tehnologicheskogo processa rosta kristallov soedineniy bora s redko-zemelnimi elementami vida MV66 bestigelnoy zonnoy plavkoy. // Himicheskaya tehnologiya. Kontrol i up-ravlenie, 2017. № 1. S.31-35. |
3 | Tadjiev A. A., Hudayberganov SH. K., Sattorov A. Amorfizaciya elektricheskih svoystv b-bora i egosoedineniy s redkozemelьnыmi elementami. // Vestnik TashGTU, 2015. № 4. S.14-18. |
4 | Tadjiev A. A. Razrabotka modeli mehanizma provodimosti dlya legirovannih materialov pri formi-rovanii tverdih rastvorov vnedreniya na osnove b- romboedricheskogo bora. // Vestnik TashGTU, 2016. №S.51-55. |