4

Определены оптимальные соотношения параметров солнечного элемента с нано размерными гетеро переходами обеспечивающие максимальную мощность коэффициента полезного действия. Из полученных соотношений следует, что солнечный элемент с нано размерными гетеро переходами можно построить таким образом, что его эффективность будет иметь всегда требуемый высокий уровень. Показано, что такая управляемая ситуация возможна применительно к солнечному элементу с нано размерными р-п переходами, созданные в силу явления самоорганизации на подложке из технического кремния.

  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 14-09-2024
  • O'qishlar soni 4
  • Nashr sanasi 30-12-2021
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar7-11
Русский

Определены оптимальные соотношения параметров солнечного элемента с нано размерными гетеро переходами обеспечивающие максимальную мощность коэффициента полезного действия. Из полученных соотношений следует, что солнечный элемент с нано размерными гетеро переходами можно построить таким образом, что его эффективность будет иметь всегда требуемый высокий уровень. Показано, что такая управляемая ситуация возможна применительно к солнечному элементу с нано размерными р-п переходами, созданные в силу явления самоорганизации на подложке из технического кремния.

№ Havola nomi
1 1.Т.А. Джалалов, Э.З.Имамов, Р.А.Муминов, Р.Х.Рахимов Computational nanotechnology. Выпуск №1, С. 155-167 (2018)
2 2.T.A.Jalalov, E.Z. Imаmov, R.A.Muminov, H.Sabirov, Sh.Sh.Atoev J.Computational nanotechnology №3, p.p.85-90, (2018)
3 3.Э.З.Имамов, Р.А.Муминов, Т.А.Джалалов, Х.Н.Каримов Ilmiy xabarnoma-Научный вестник.№1 С.25-27 (2019).
4 4.Э.З.Имамов Р.А.Муминов Т.А.Джалалов Х.Н.Каримов Г.Эргашев Узбекский физический журнал. №3. С. 173 -179 (2019)
5 5.Э.З.Имамов Р.А.Муминов Т.А.Джалалов Х.Н.Каримов Ж. «Физика полупроводников и микроэлектроника». №4 С.14-21 (2019)
6 6.E.Z.Imamov, R.A.Muminov,R.Kh.Rakhimov Computational nanotechnology Т.7. № 2., p.p.58-63 (2020)
7 7.E.Z.Imamov R.A.Muminov R.Kh.Rakhimov Scientific-technical journal (STJ FerPI, 2020, T.24, №5) pp 31-36 (2020)
8 8.H. Haken // Synergetics // Springer, Berlin-Heidelberg, 1997.
9 9.V.A.,Shchukin N.N.Ledentsov P.S.Kop’ev D.Bimberg. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands. Phys.Rev.Lett..V.75.№16.P.2968-2971. (1995)
10 10.Н.Н.Леденцов В.М.Устинов С.В.Иванов и др. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах. УФН..Т.166.№4. С.423-428. (1996)
11 11.Н.Н.Леденцов В.М.Устинов В.А.Щукин и др. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры . ФТП.1998.Т.32.№4. С.385-410.
12 12.V.Stancu, E.Pentia, A.Goldenblum, M.Buda, G.Iordache, T.Botila. Romanian journal of information science and technology. Vol.10, №1, 53–66 (2007).
13 13.А.А.Раскин, В.К.Прокофьева. Технология материалов микро, опто- и нано электроники, в двух томах БИНОМ, Лаборатория знаний, Москва (2010).
14 14.В. Ф. Гременок, М. С. Тиванов, В. Б. Залеcский. Солнечные элементы на основе полупроводниковых материалов/ – Минск: Изд. Центр БГУ, 2007. –222 с.
15 15. Колтун, М.М. Оптика и метрология солнечных элементов М.: Наука, 1984. – 280с.
16 16.А.М.Васильев, А.П.Ландсман Полупроводниковые фотопреобразователи М.: Сов. радио, 1971. – 248 с.
17 17.A. Фаренбрух, Р. Бьюб Солнечные элементы: теория и эксперимент М.: Энергоатомиздат, 1987. – 280 с.
18 18.В.Н.Мартынов, Г.И. Кольцов. Полупроводниковая оптоэлектроника – М.: МИСИС, 1999. – 400 с.
19 19.Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника М.:Мир. 1976. – 431 с.
20 20.Цой Б. Патент в Евразийском патентном ведомстве (EP2405487 A1. 08.30. 2012)
21 21.Цой Б. Патент во всемирной организации интеллектуальной собственности (№WO 2011/040838 A2 07. 04.2011).
Kutilmoqda