В работе рассмотрено влияние ультразвуковых волн на фотоэлектрические и спектральные характеристики диффузионных Si-приемников электромагнитного излучения. Установлено, что при ультразвуковом облучении происходит увеличение времени жизни, диффузионной длины носителей и, как следствие, рост эффективности собирания носителей на электрические контакты Si-приемников. В результате этих процессов наблюдается повышение величины тока короткого замыкания, что вызывает рост напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия такой диффузионной Si-структуры, работающей в режиме фотопреобразования
В работе рассмотрено влияние ультразвуковых волн на фотоэлектрические и спектральные характеристики диффузионных Si-приемников электромагнитного излучения. Установлено, что при ультразвуковом облучении происходит увеличение времени жизни, диффузионной длины носителей и, как следствие, рост эффективности собирания носителей на электрические контакты Si-приемников. В результате этих процессов наблюдается повышение величины тока короткого замыкания, что вызывает рост напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия такой диффузионной Si-структуры, работающей в режиме фотопреобразования
The paper considers the influence of ultrasonic fields on the photoelectric and spectral characteristics of diffusion Si-receivers of electromagnetic radiation. It was found that ultrasonic irradiation increases the lifetime, diffusion length of carriers and, as a consequence, increases the efficiency of collecting carriers on the electrical contacts of Si-receivers. As a result of these processes, an increase in the value of the short-circuit current is observed, which causes an increase in the open circuit voltage and the efficiency of such a diffusion Si-structure operating in the photo reformation mode
№ | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
---|---|---|---|
1 | Gaibov A.G. | доцент | Toshkent Davlat texnika universiteti |
2 | Vakhobov K.I. |
№ | Havola nomi |
---|---|
1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |