1124

Показана возможность получения твердого раствора (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава, а также управляя их параметрами получения эффективный и доступный солнечный элемент на основе GaAs и его твердых растворов.

  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 13-12-2019
  • O'qishlar soni 1056
  • Nashr sanasi 15-11-2018
  • Asosiy tilRus
  • Sahifalar11-13
Ўзбек

Қалай аралашма-эритмасидан суюқ фазали эпитаксия усули билан квант нуқтали (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 қаттиқ аралашмани олиш, шунингдек, уларни бошқариш, GaAs ва унинг асосидаги қаттиқ қоришмалардан эффектив ва арзон қуёш эементини олиш усули кўрсатилди.

Русский

Показана возможность получения твердого раствора (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава, а также управляя их параметрами получения эффективный и доступный солнечный элемент на основе GaAs и его твердых растворов.

English

Thepossibility of obtaining the solid solution (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 with quantum dots by liquid-phase epitaxy from the tin solution-melt is shown, as well as controlling their production parameters, is the effective and accessible solar cell on basis GaAs and its solid solutions.

№ Havola nomi
1 1. Saidov A.S., Zainabidinov S.Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp 206-208. 2. Марончук И.Е., Марончук А.И., Кулюткина Т.Ф., Найденкова М.В., Чорный И.В. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/- № 12:- 97 (2005). 3. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д., ФТП, 1998. 32, № 4. 385-411. 4. Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III-V. Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2012. Том 10 № 1. С. 77-88. 5. Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур.- М/: Физматлит: 2009. 6. Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Usmonov Sh.N. and Boboev A.Yu. Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 59–65.
Kutilmoqda