Исследовано влияние температуры на эффективное значение плотности тока полупроводникового солнечного элемента. Получено новое выражение, объясняющее зависимость фотогальванической характеристики от температуры.
Яримўтказгичли қуёш элементи токининг зичлигига хароратнинг таъсири ўрганилган. Фотогальваник характеристиканинг хароратга боғлиқлигини тушунтирувчи янги тенглама олинган.
Исследовано влияние температуры на эффективное значение плотности тока полупроводникового солнечного элемента. Получено новое выражение, объясняющее зависимость фотогальванической характеристики от температуры.
The influence of temperature on effective value of density of the current of a semiconductor solar cell is investigated. New equation explaining the dependence of photogalvanic characteristics on temperature is obtained.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Aliyev R.U. | professor | Andijon davlat universiteti |
| 2 | Ikromov R.G. | Namangan muhandislik texnologiyasi instituti | |
| 3 | Alinazarova M.A. | Namangan davlat universiteti |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | 1. Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы (теория и эксперимент), М.: Энергоатомиздат, 1987.- 278 с. 2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Книга 1.- М.: Мир, 1984.- 456 с. 3. Зайнобиддинов С., Икрамов Р.Г., Алиев Р., Исманова О.Т., Ниязова О., Нуритдинова М.А. // Гелиотехника.- 2003.- №3.- С.19-22. 4. Алиев Р., Зайнобиддинов С., Икрамов Р.Г., Исманова О.Т., Нуритдинова М.А.//Гелиотехника.- 2003.-№1.- С. 18-22. 5. Алиев Р. Алиназарова М. А., Икрамов Р.Г., Исманова О.Т. // Гелиотехника.- 2009.- № 3.- С. 15-20. 6. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления.- М.: Мир, 1980.- 208 с. |