Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)y на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Определено, что распределение компонентов по поверхности однородное, а по толщине пленки содержание Ge2 и ZnSe меняется в пределах 0 £ х £ 0.17, 0 £ у £ 0.14.
Суюқ фазали эпитаксия усули билан қалайли аралашма эритмадан GaAs тагликларига (GaAs)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)y қаттиқ қоришмасини ўстириш имконияти кўрсатилган. Компонентларнинг сирт бўйлаб текис тақсимланиши, юпқа парда қалинлиги бўйича эса Ge2 ва ZnSe 0 £ х £ 0.17, 0 £ у £ 0.14. оралиқда ўзгариши аниқланган.
Показана возможность выращивания твердого раствора (GaAs)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)y на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Определено, что распределение компонентов по поверхности однородное, а по толщине пленки содержание Ge2 и ZnSe меняется в пределах 0 £ х £ 0.17, 0 £ у £ 0.14.
Growth possibility of the solid solution (GaAs)1-x-у(Ge2)x(ZnSe)y on GaAs substrates by the method liquidphase epitaxy from tin solution-melts is shown. It is defi ned that the distribution of the components over the surface is homogeneous, and on the fi lm thickness the Ge2 and ZnSe content varies in the range 0 £х£ 0.17, 0 £у£ 0.14.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Zaynabidinov S.. | professor | Andijon davlat universiteti |
| 2 | Yo'lchyiev .X. | dotsent | Andijon davlat universiteti |
| 3 | Boboev A.Y. | o'qituvchi | Andijon davlat universiteti |
| 4 | Maxmudov X.A. | Andijon davlat universiteti | |
| 5 | Qo'chkarova M.O. | o'qituvchi | Andijon davlat universiteti |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | 1. Zaynabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Usmonov Sh.N. and Boboev A.Yu. Growth, Structure, and Properties of GaAs-Based (GaAs)1–x–y(Ge2)x(ZnSe)y Epitaxial Films. Semiconductors, 2016, Vol. 50, Issue 1, pp. 59–65. 2. Usmonov Sh.N., Saidov A.S., Leiderman A.Yu. Effect of injection depletion in p-n heterostructures based on solid solutions (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y , (Si2)1 − x(CdS) x , (InSb)1 − x (Sn2) x , and CdTe1 − x S x. Physics of the Solid State, 2014, Volume 56, Issue 12, pp 2401–2407. 3. Sungwoo Kim, Taehoon Kim, Meejae Kang et.al. Highly Luminescent InP/GaP/ZnS Nanocrystals and Their Application to White Light-Emitting Diodes. J. Am. Chem. Soc., 2012, Vol. 134, Issue 8. p. 3804-380 4. Dmitri V.T., Ivo M., Stephan G., Andreas K., Oliver B., Horst W. CdSe/CdS/ZnS and CdSe/ZnSe/ZnS Core −Shell−Shell Nanocrystals. J. Phys. Chem. B, 2004, Vol.108, Issue 49 pp. 18826-1883. 5. Zhou X.T., Kim P.-S. G., and Sham T.K. Fabrication, morphology, structure and photoluminescence of ZnS and CdS nanoribbons. Journal of Applied Physics, 2005 Vol. 98, Issue 2 pp 4312; 6. Saidov A. S., Zainabidinov S. Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)1–x–y(ZnSe) x (Ge2) y structures with quantum dots. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp. 206-208. 7. Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Усмонов Ж.Н. Влияние нанокристаллов германия и селенида цинка на фотоэлектрические свойства гетероструктуры n-GaAs – p-(GaAs)0,69(Ge2)0,17(ZnSe)0,14. Альтернативная энергетика и экология, 2019, № 10-12. ст. 43-51. 8. Бобоев, А.Й., Зайнабидинов С.З. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y. Узбекский физический журнал, 2015. Вып. 17. № 4. ст. 218–224. 9. Akramjon Boboev, Makhmud Kalanov and Sirojiddin Zainabidinov. Influence of Temperature on Current-Voltage characteristics of n-GaAs – p-(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y heterostructures. Mediterranean Journal of Physics 2016, Vol. 1, Issue 1, рр. 12-15. 10. Saidov A.S., Boboev A.Y. Growth of solid solutions of replacement (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 and (GaAs)0.76(ZnSe)0.15(Ge2)0.09 /The International Symposium “New Tendencies of Developing Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements, Prospectives” November 10-11, 2016. Р 178-180. 11. Saidov A.S., Usmonov Sh.N., and Saparov D.V. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution GaAs)1−x(ZnSe)x with Nanocrystals. Advances in Materials Science and Engineering, 2019, Vol. 1, pp. 1-9. 12. Saidov A.S. et.al. Growth of (GaAs)1 − x (ZnSe) x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties. Physics of the Solid State, 2011, Vol. 53, Issue. 10, pp. 2012–2021 13. Саидов М.С. Избранные статьи. Тошкент 2010. C. 136 |