К ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ

Рассчитаны коэффициенты прозрачности потенциальных барьеров асимметричной полупроводниковой структуры, состоящих из чередующихся потенциальных барьеров и потенциальных ям. При этом учтена разность эффективных масс электронов и высоты потенцальных барьеров. Показано, что в асимметричной полупроводниковой структуре должна наблюдаться осцилляция коэффициента прохождения через потенциальный барьер в зависимости от энергии электронов. Эта осцилляция обусловлена интерференцией волн, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Указано на то, что такое интерференционное явление в структуре не исчезает даже в симметричной структуре из-за разности эффективных масс электронов, находящихся в различных областях структуры.

The transparency coefficients of an asymmetric potential barriers of a semiconductor structure consisting of alternating potential barriers and potential wells are calculated. In this case, the difference between the effective electron masses and the height of the potenial barriers has taken into account.It is shown that in asymmetric semiconductor structure should exhibit oscillation of the electron energy in the dependence of the transmission coefficient through the potential barrier. This oscillation is due to the interference of waves moving to the barrier and reflected from the potential barrier.It is pointed out that such an interference phenomenon in the structure does not disappear even in a symmetric structure because of the difference in the effective masses of electrons in different regions of the structure