КРЕМНИЕВЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С МАЛЫМИ Р-N ПЕРЕХОДАМИ

.  Предлагается модель р-n  перехода микронного размера, выращенного на подложке солнечного элемента (СЭ) из дешевого стабильно устойчивого технического (или металлургического) кремния. Эти СЭ с р-n  переходами микронного размера особенно эффективны в процессе массового производства солнечного электричества,  когда СЭ находится постоянно в агрессивных климатических условиях

A model of p-n transition of micron size grown on a solar cell (SС) substrate from low-cost stable technical (or metallurgical) silicon is proposed. These SС with p-n transitions of micron size are particularly effective in the process of mass production of solar electricity, when the SE is constantly in aggressive climatic conditions